高通与兆易创新联手，正为中国高端旗舰手机开发一款独立（离散式）NPU 芯片，旨在大幅提升端侧 AI 算力与能效。 该合作还引入了长鑫存储提供专属内存，预计 2026 年底至 2027 年初量产。
高通与兆易创新联手，正为中国高端旗舰手机开发一款独立（离散式）NPU 芯片，旨在大幅提升端侧 AI 算力与能效。 该合作还引入了长鑫存储提供专属内存，预计 2026 年底至 2027 年初量产。
一、核心合作与产品信息
- 参与方：
- 高通：主导 NPU 架构设计、AI 算法适配
- 兆易创新：联合开发、芯片工程化与部分 IP
- 长鑫存储：提供配套4GB 3D 堆叠 DRAM
- 产品形态：离散式（独立）NPU（非集成于骁龙 SoC）
- 核心规格：
- AI 算力：约 40 TOPS（INT8，接近当前旗舰 SoC 总 AI 算力）
- 专属内存：4GB 3D DRAM（TSV 硅通孔 + 混合键合，带宽高于 LPDDR5X）
- 定位：4000 元 + 中国品牌旗舰手机
- 量产时间：2026 年底 —2027 年初
二、技术优势：为什么要 “独立 NPU”？
传统手机 NPU 集成在 SoC 内，与 CPU/GPU 共享功耗和内存，高负载 AI 任务易降频、算力受限。
独立 NPU 方案的核心突破：
- 专属算力与功耗：AI 计算完全独立，长时间稳定满载（如实时视频翻译、AI 生成、后台大模型运行）
- 专用高带宽内存：4GB 3D DRAM 直连 NPU，减少数据延迟、缓解内存墙瓶颈
- 等效 AI 性能翻倍：在不挤占主芯片资源下，额外提供 40TOPS 算力
- 场景适配：更适合端侧大模型、实时 AI 摄影、视频 AI、离线翻译、AI 助手等高负载场景
三、产业背景与意义
- 应对内存紧张：全球 DRAM 产能转向 HBM（AI 服务器），移动内存短缺；高通通过定制化、本地化供应链保障高端机型供给
- 中国市场定制化：专为中国旗舰品牌设计，强化高通在高端安卓市场的差异化竞争力
- 国产供应链升级：兆易创新、长鑫存储深度参与核心 AI 芯片 / 内存，是大陆存储与芯片设计的重要突破
四、当前挑战（分析师郭明錤指出）
- 成本偏高：3D DRAM 涨价推高整机 BOM
- 场景与商业化不明：手机端侧 AI 应用仍在探索，厂商投资回报不确定
- 出货预期下调：订单量低于 2025 年最初规划
五、总结
这是手机 AI 架构的重要试水：从 “集成 NPU” 走向 “独立 AI 加速芯片”。若落地顺利，4000 元以上国产旗舰将率先获得翻倍级端侧 AI 能力，同时推动高通 + 中国供应链在 AI 硬件上的深度绑定。
